Молекулалық сәулелік эпитаксис немесе MBE - кристалдардың жоғары сапалы жұқа қабықшаларын кристалдық субстраттарда өсірудің жаңа әдісі. Өте жоғары вакуум жағдайында қыздыру пеші барлық қажетті компоненттермен жабдықталған және атомдық немесе молекулалық сәулені коллимациялаудан кейін пайда болған тесіктер арқылы бу шығарады, монокристалды субстраттың тиісті температурасына тікелей айдау, молекулалық сәулені басқару субстратты бір уақытта сканерлеу, ол кристалды туралау қабаттарындағы молекулаларды немесе атомдарды субстраттың «өсуінде» жұқа қабықшаны құра алады.

MBE жабдығының қалыпты жұмыс істеуі үшін жоғары тазалық, төмен қысымды және өте таза сұйық азотты жабдықтың салқындату камерасына үздіксіз және тұрақты тасымалдау қажет. Жалпы алғанда, сұйық азотты қамтамасыз ететін резервуардың шығыс қысымы 0,3МПа мен 0,8МПа аралығында болады. -196℃ температурадағы сұйық азот құбырды тасымалдау кезінде азотқа оңай буланады. Газ-сұйықтық қатынасы шамамен 1:700 сұйық азот құбырда газдандырылғаннан кейін ол сұйық азот ағынының кеңістігін үлкен көлемде алып, сұйық азот құбырының соңында қалыпты ағынды азайтады. Сонымен қатар, сұйық азотты сақтауға арналған резервуарда тазаланбаған қоқыстар болуы мүмкін. Сұйық азот құбырында ылғалды ауаның болуы да мұз шлактарының пайда болуына әкеледі. Егер бұл қоспалар жабдыққа төгілсе, бұл жабдыққа күтпеген зақым келтіреді.

Сондықтан сыртқы сақтау резервуарындағы сұйық азот шаңсыз цехтағы MBE жабдығына жоғары тиімділікпен, тұрақтылықпен және таза түрде тасымалданады, ал төмен қысымда, азотсыз, қоспасыз, 24 сағат бойы үздіксіз, мұндай тасымалдауды басқару жүйесі болып табылады. білікті өнім.